ZVP2120GTA

Diodes Incorporated

ZVP2120GTA

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs25Ohm @ 150mA, 10V
基础料号ZVP2120
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100 pF @ 25 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
最大功耗2W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)