ZVNL110GTC

Diodes Incorporated

ZVNL110GTC

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

停产/老旧TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds75 pF @ 25 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA (Ta)
最大功耗1.1W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)