DMTH8030LPDWQ-13

Diodes Incorporated

DMTH8030LPDWQ-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 80V 28.5A PWRDI50

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 10A, 10V
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds631pF @ 40V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28.5A (Tc)
Power - Max3.1W (Ta), 41W (Tc)

机械

Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PowerDI5060-8 (Type UXD)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101