DMTH6004SPS-13

Diodes Incorporated

DMTH6004SPS-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.1mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4556 pF @ 30 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Ta), 100A (Tc)
最大功耗2.1W (Ta), 167W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PowerDI5060-8

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)