DMTH6002LPS-13

Diodes Incorporated

DMTH6002LPS-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6555 pF @ 30 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
最大功耗167W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PowerDI5060-8 (Type K)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)