DMTH45M5LPSW-13

Diodes Incorporated

DMTH45M5LPSW-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds978 pF @ 20 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C86A (Tc)
最大功耗3.5W (Ta), 72W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PowerDI5060-8 (Type UX)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)