DMTH4008LFDFW-7

Diodes Incorporated

DMTH4008LFDFW-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN

在产6-UDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.5mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1030 pF @ 20 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.6A (Ta)
最大功耗990mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)