DMTH4002SCTB-13

Diodes Incorporated

DMTH4002SCTB-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET BVDSS: 31V~40V TO263 T&R

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 90A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs77.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7180 pF @ 20 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C192A (Tc)
最大功耗6W (Ta), 166.7W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
供应商器件封装TO-263AB (D2PAK)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)