DMT8008SCT

Diodes Incorporated

DMT8008SCT

Datasheet

模拟与电源

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1950 pF @ 40 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Through Hole
包装Tube
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C111A (Tc)
最大功耗2.4W (Ta), 167W (Tc)

机械

Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)