DMT3022UEV-7

Diodes Incorporated

DMT3022UEV-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 11A, 10V
基础料号DMT3022
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds903pF @ 15V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
Power - Max900mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerDI3333-8 (Type UXD)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)