DMT3006LPB-13

Diodes Incorporated

DMT3006LPB-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 11A/35A POWERDI50

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V
基础料号DMT3006
配置2 N-Channel (Dual)
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PowerDI5060-8 (Type S)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)