DMT2004UFG-7

Diodes Incorporated

DMT2004UFG-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1683 pF @ 15 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.45V @ 250µA

电气

漏源电压24 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
最大功耗2.3W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101