DMS3014SFG-7

Diodes Incorporated

DMS3014SFG-7

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 10.4A, 10V
FET FeatureSchottky Diode (Body)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4310 pF @ 15 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A (Ta)
最大功耗1W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerDI3333-8

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)