DMP6250SEQ-13

Diodes Incorporated

DMP6250SEQ-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 1A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds551 pF @ 30 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.1A (Tc)
最大功耗1.8W (Ta), 14W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)