DMP510DLQ-13

Diodes Incorporated

DMP510DLQ-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5Ohm @ 100mA, 5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 25 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

电气

漏源电压50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C196mA (Ta)
最大功耗520mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)