DMP32D4S-13

Diodes Incorporated

DMP32D4S-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 300mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds51.16 pF @ 15 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Ta)
最大功耗370mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)