DMP3011SPDW-13

Diodes Incorporated

DMP3011SPDW-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 30V 12.1A PWRDI50

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 11.5A, 10V
基础料号DMP3011
配置2 P-Channel
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2380pF @ 15V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.1A (Ta), 38.2A (Tc)
Power - Max1.4W (Ta)

机械

封装Bulk
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PowerDI5060-8 (Type UXD)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)