DMP3010LK3-13

Diodes Incorporated

DMP3010LK3-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 10A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6234 pF @ 15 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta)
最大功耗1.7W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)