DMP26M1UPS-13

Diodes Incorporated

DMP26M1UPS-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI5060

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 15A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5392 pF @ 10 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A (Tc)
最大功耗1.34W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PowerDI5060-8

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)