DMP22D5UFB4-7B

Diodes Incorporated

DMP22D5UFB4-7B

Datasheet

模拟与电源

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006

在产3-XFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds17 pF @ 15 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA (Ta)
最大功耗460mW (Ta)

机械

封装Bulk
Package / Case3-XFDFN
供应商器件封装X2-DFN1006-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)