DMP22D4UFA-7B

Diodes Incorporated

DMP22D4UFA-7B

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN0806H4

在产3-XFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds28.7 pF @ 15 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C330mA (Ta)
最大功耗400mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
供应商器件封装X2-DFN0806-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)