DMP21D0UFD-7

Diodes Incorporated

DMP21D0UFD-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN

在产3-UDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs495mOhm @ 800mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds80 pF @ 10 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C820mA (Ta)
最大功耗490mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-UDFN
供应商器件封装X1-DFN1212-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)