DMP2170U-13

Diodes Incorporated

DMP2170U-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds303 pF @ 10 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Ta)
最大功耗780mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101