DMP2008UFG-7

Diodes Incorporated

DMP2008UFG-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 12A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6909 pF @ 10 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 54A (Tc)
最大功耗2.4W (Ta), 41W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装POWERDI3333-8

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)