DMP2003UPS-13

Diodes Incorporated

DMP2003UPS-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2mOhm @ 25A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8352 pF @ 10 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A (Tc)
最大功耗1.4W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PowerDI5060-8

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)