DMP1022UFDF-13

Diodes Incorporated

DMP1022UFDF-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN

在产6-UDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs14.8mOhm @ 4A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2712 pF @ 10 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A (Ta)
最大功耗730mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装U-DFN2020-6 (Type F)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)