DMNH6065SPDWQ-13

Diodes Incorporated

DMNH6065SPDWQ-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 15A, 10V
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds466pF @ 25V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Tc)
Power - Max2.4W (Ta), 68W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PowerDI5060-8 (Type R)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101