DMNH6035SPDW-13

Name: DMNH6035SPDW-13
Brand: Diodes Incorporated

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50

在产8-PowerTDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 15A, 10V
基础料号	DMNH6035
配置	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	879pF @ 25V
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	Surface Mount, Wettable Flank
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	33A (Tc)
Power - Max	2.4W (Ta), 68W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)