DMNH6021SPS-13

Diodes Incorporated

DMNH6021SPS-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1016 pF @ 30 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)
最大功耗1.6W (Ta), 53W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101