DMN67D8LT-13

Diodes Incorporated

DMN67D8LT-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R

在产SOT-523模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs821 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds22 pF @ 25 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C210mA (Ta)
最大功耗260mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-523
供应商器件封装SOT-523

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)