DMN63D8LDW-7

Diodes Incorporated

DMN63D8LDW-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

在产6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 250mA, 10V
基础料号DMN63
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds22pF @ 25V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C220mA
Power - Max300mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装SOT-363

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)