DMN63D1LDW-13

Name: DMN63D1LDW-13
Brand: Diodes Incorporated

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

停产/老旧6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 500mA, 10V
基础料号	DMN63
配置	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 25V
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA

漏源电压	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	250mA
Power - Max	310mW

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)