DMN62D4LDW-7

Name: DMN62D4LDW-7
Brand: Diodes Incorporated

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363

在产6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 200mA, 10V
基础料号	DMN62
配置	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.04nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	41pF @ 30V
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA

漏源电压	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	261mA (Ta)
Power - Max	330mW (Ta)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)