DMN62D0UV-13

Diodes Incorporated

DMN62D0UV-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 0.49A SOT563

在产SOT-563, SOT-666模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 100mA, 4.5V
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds32pF @ 30V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C490mA (Ta)
Power - Max470mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
供应商器件封装SOT-563

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101