DMN601DWK-7

Diodes Incorporated

DMN601DWK-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363

在产6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 500mA, 10V
基础料号DMN601
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C305mA
Power - Max200mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装SOT-363

环境

工作温度-65°C ~ 150°C (TJ)