DMN601DMK-7

Diodes Incorporated

DMN601DMK-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26

在产SOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 200mA, 10V
基础料号DMN601
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.304nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C510mA
Power - Max700mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
供应商器件封装SOT-26

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)