DMN53D0LW-7

Diodes Incorporated

DMN53D0LW-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323

在产SC-70, SOT-323模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 270mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds45.8 pF @ 25 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA

电气

漏源电压50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C360mA (Ta)
最大功耗320mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-70, SOT-323
供应商器件封装SOT-323

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)