DMN53D0L-13

Diodes Incorporated

DMN53D0L-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds46 pF @ 25 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
最大功耗370mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)