DMN4008LFG-7

Diodes Incorporated

DMN4008LFG-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3537 pF @ 20 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3.3V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14.4A (Ta)
最大功耗1W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerDI3333-8

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)