DMN3401LVQ-7

Diodes Incorporated

DMN3401LVQ-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT563

在产SOT-563, SOT-666模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 590mA, 10V
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 15V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 100µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA (Ta)
Power - Max490mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
供应商器件封装SOT-563

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101