DMN33D9LV-13

Diodes Incorporated

DMN33D9LV-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563

在产SOT-563, SOT-666模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 250mA, 10V
基础料号DMN33
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds48pF @ 5V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 100µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Ta)
Power - Max430mW (Ta)

机械

Package / CaseSOT-563, SOT-666
供应商器件封装SOT-563

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)