DMN33D8LDW-13

Name: DMN33D8LDW-13
Brand: Diodes Incorporated

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363

在产6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4Ohm @ 250mA, 10V
基础料号	DMN33
配置	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	48pF @ 5V
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA

漏源电压	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	250mA
Power - Max	350mW

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)