DMN32D0LV-7

Name: DMN32D0LV-7
Brand: Diodes Incorporated

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563

在产SOT-563, SOT-666模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 100mA, 4V
基础料号	DMN32
配置	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.62nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	44.8pF @ 15V
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA

漏源电压	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	680mA (Ta)
Power - Max	480mW (Ta)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)