DMN3270UVT-13

Diodes Incorporated

DMN3270UVT-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 1.6A TSOT26

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 650mA, 4.5V
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.07nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds161pF @ 15V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 40µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta)
Power - Max760mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装TSOT-26

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101