DMN3025LFDF-13

Diodes Incorporated

DMN3025LFDF-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN

在产6-UDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs20.5mOhm @ 7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds641 pF @ 15 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.9A (Ta)
最大功耗2.1W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装U-DFN2020-6 (Type F)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)