DMN3016LDV-13

Diodes Incorporated

DMN3016LDV-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 21A POWERDI3333

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 7A, 10V
基础料号DMN3016
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1184pF @ 15V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerDI3333-8

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)