DMN3015LSD-13

Diodes Incorporated

DMN3015LSD-13

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 12A, 10V
基础料号DMN3015
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1415pF @ 15V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.4A (Ta)
Power - Max1.2W

机械

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SO

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)