DMN3012LEG-7

Diodes Incorporated

DMN3012LEG-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333

在产8-PowerLDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
基础料号DMN3012
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 20A (Tc)
Power - Max2.2W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerLDFN
供应商器件封装PowerDI3333-8 (Type D)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)