DMN3009LFVQ-7

Diodes Incorporated

DMN3009LFVQ-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 15 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
最大功耗1W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)