DMN2991UT-7

Diodes Incorporated

DMN2991UT-7

Datasheet

模拟与电源

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R

在产SOT-523模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 100mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds21.5 pF @ 15 V
制造商Diodes Incorporated
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Ta)
最大功耗280mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-523
供应商器件封装SOT-523

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)